机译:三硫化钛单层膜:具有高各向异性载流子迁移率的新型直接间隙半导体的理论预测
机译:三硫化钛单层:具有高和各向异性载流子迁移率的新型直接间隙半导体的理论预测。
机译:HfN2单层:具有高各向异性载流子迁移率的新型直接间隙半导体
机译:模拟有机单晶半导体中各向异性载流子迁移率的理论方法
机译:均质半导体中由于载流子重新俘获过程引起的载流子密度和迁移率波动
机译:α-钛合金大塑性变形过程中晶体织构演变和各向异性应力应变响应的预测。
机译:二维磷片中电子结构和载流子迁移率的理论预测
机译:钛三硫化物单层:一种新的直接间隙半导体 和各向异性载流子迁移率
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。